|
|
SGP23N60UFDTU |
ON Semiconductor / Fairchild |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT |
|
|
|
SGP23N60UFTU |
ON Semiconductor / Fairchild |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT |
|
|
|
SGS10N60RUFDTU |
ON Semiconductor / Fairchild |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/10A/w/FRD |
|
|
|
SGTB11N60R2DT4G |
ON Semiconductor |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC2 IGBT 10A 600V DPAK |
|
|
|
SGW20N60 |
Infineon Technologies |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 20A |
|
|
|
SGW25N120 |
Infineon Technologies |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A |
|
|
|
SGW30N60 |
Infineon Technologies |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 30A |
|
|
|
SKB02N120 |
Infineon Technologies |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A |
|
|
|
SKP02N120 |
Infineon Technologies |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A |
|
|
|
SKW25N120 |
Infineon Technologies |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A |
|
|
|
SKW30N60 |
Infineon Technologies |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 30A |
|
|
|
SP000913772 |
Infineon Technologies |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS |
|
|
|
SP000919762 |
Infineon Technologies |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS |
|
|
|
SP000925524 |
Infineon Technologies |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS |
|
|
|
STGB10H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed |
|
|
|
STGB10M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss |
|
|
|
STGB10NB37LZT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 A - 410 V Int Clamped IGBT |
|
|
|
STGB10NB40LZT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp |
|
|
|
STGB10NC60HDT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 10A 600V |
|
|
|
STGB10NC60KDT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-channel MOSFET |
|
|
|
STGB14NC60KDT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
|
|
|
STGB15H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed |
|
|
|
STGB15M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss |
|
|
|
STGB18N40LZT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EAS 180 mJ-400 V |
|
