|
|
STGD7NB60ST4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 7 Amp |
|
|
|
STGD7NC60HT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 14 Amp |
|
|
|
STGD8NC60KDT4 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET |
|
|
|
STGF10H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd |
|
|
|
STGF10M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss |
|
|
|
STGF10NB60SD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 10 Amp |
|
|
|
STGF10NC60KD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
|
|
|
STGF14NC60KD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
|
|
|
STGF15H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpd |
|
|
|
STGF15M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss |
|
|
|
STGF19NC60HD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL MFT |
|
|
|
STGF19NC60KD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT |
|
|
|
STGF20H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT |
|
|
|
STGF20M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss |
|
|
|
STGF20NB60S |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 13A-600V |
|
|
|
STGF30M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
|
|
|
STGF3NC120HD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 1200 Volt 3 Amp |
|
|
|
STGF4M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
|
|
|
STGF5H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed |
|
|
|
STGF6M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss |
|
|
|
STGF6NC60HD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
|
|
|
STGF7H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed |
|
|
|
STGF7NB60SL |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT |
|
|
|
STGF8NC60KD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET |
|
