Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [70]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
STGFW20H65FB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
STGFW20V60DF STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
STGFW20V60F STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
STGFW30H65FB STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
STGFW30V60DF STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
STGFW30V60F STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop
STGFW40H65FB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
STGFW40V60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
STGFW40V60F STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
STGFW80V60F STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
STGP10H60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd
STGP10M65DF2 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
STGP10NB60S STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 10 Amp
STGP10NB60SD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH
STGP10NC60HD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBT
STGP10NC60KD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
STGP14NC60KD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
STGP15H60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 600V 15A HiSpd
STGP15M120F3 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
STGP15M65DF2 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low loss
STGP19NC60HD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A - 600 V very fast IGBT
STGP19NC60KD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
STGP19NC60SD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-chnl 600V-20A Med Freq
STGP20H60DF STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT