Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [72]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
STGW15H120DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
STGW15H120F2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
STGW15M120DF3 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
STGW19NC60HD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A - 600 V Very fast IGBT
STGW20H60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
STGW20H65FB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
STGW20IH125DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 20A trench gate field-stop IGBT
STGW20NC60V STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp
STGW20NC60VD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp
STGW20V60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
STGW20V60F STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
STGW25H120DF2 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
STGW25H120F2 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
STGW25M120DF3 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
STGW28IH125DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 25A trench gate field-stop IGBT
STGW30H60DFB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
STGW30H60DLFB STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
STGW30H65FB STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
STGW30M65DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
STGW30NC120HD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL IGBT
STGW30NC60KD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30A 600v IGBT
STGW30NC60VD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH
STGW30NC60WD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH&#34 IGBT
STGW30V60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT