|
|
STGP20M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss |
|
|
|
STGP20NC60V |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp |
|
|
|
STGP20V60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT |
|
|
|
STGP20V60F |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop |
|
|
|
STGP30H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT |
|
|
|
STGP30H60DFB |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
|
|
|
STGP30M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
|
|
|
STGP30V60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT |
|
|
|
STGP30V60F |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop |
|
|
|
STGP35HF60W |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A Ultrafast IGBT 600V 100kHz |
|
|
|
STGP3HF60HD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode |
|
|
|
STGP3NC120HD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 7A 1200 V Very Fast IGBT Power Bipolar |
|
|
|
STGP40V60F |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT |
|
|
|
STGP4M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench Gate IGBT M Series 650V 4A |
|
|
|
STGP5H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed |
|
|
|
STGP6M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
|
|
|
STGP6NC60HD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
|
|
|
STGP7H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed |
|
|
|
STGP7NC60HD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT |
|
|
|
STGP8M120DF3 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package |
|
|
|
STGP8NC60KD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET |
|
|
|
STGPL6NC60D |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 6A N-Channel |
|
|
|
STGPL6NC60DI |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V - 6 A Hyper fast IGBT |
|
|
|
STGW10M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
|
