JFET [5]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Вид монтажа
Упаковка / блок
Полярность транзистора
Конфигурация
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
Ток стока при Vgs=0
Id - непрерывный ток утечки
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
2N5114 Microchip / Microsemi JFET JFETs
2N5115 InterFET JFET JFET P-Channel -40V 50mA 500mW 3mW
2N5115 Microchip / Microsemi JFET JFETs
2N5115e3 Microchip / Microsemi JFET JFETs
2N5115UB Microchip / Microsemi JFET JFETs
2N5116 InterFET JFET P-Channel 50mA
2N5116 Central Semiconductor
JFET P-Ch Junc FET
2N5397 InterFET
JFET N-Ch -25V JFET 10mA 300mW 10mA 1.7mW
2N5398 InterFET
JFET N-Ch -25V JFET 10mA 300mW 10mA 1.7mW
2N5457 Central Semiconductor JFET N-Ch 25Vds JFET 25Vgs 10mA 310mW
2N5459 Central Semiconductor JFET N-Ch 25Vds 25Vdg Engineering Hold
2N5459 PBFREE Central Semiconductor JFET N-Ch 25Vds 25Vdg 25Vgs 10mA 210mW
2N5460 TIN/LEAD Central Semiconductor JFET P-Ch 40V JFET 40Vgsr 10mA 310mW
2N5545 InterFET JFET N-Ch -50 JFET 1.5Vbr Dual -50pA 100dB
2N5546 InterFET JFET N-Ch -50 JFET 1.5Vbr Dual -50pA 100dB
2N5912 InterFET JFET Dual JFET N-Ch -25V 50mA 500mW 4mW
2N6450 InterFET JFET N-Ch -200V -200V 20pF 10mA 800mW
2N6451 InterFET JFET JFET N-Channel -20V 10mA 360mW 2.88mW
2N6452 InterFET JFET N-Ch -20Vgss -20V 10mA 360mW 2.88mW
2N6453 InterFET JFET JFET N-Channel -20V 10mA 360mW 2.88mW
2N6454 InterFET JFET N-Ch -20Vgss -20V 10mA 360mW 2.88mW
2N6550 InterFET JFET JFET N-Channel -20V 50mA 400mW 2.3mW
2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba JFET N-Ch SM Sig FET -50V NF 0.5dB -1.0nA -30V
2SK208-O(TE85L,F) Toshiba JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS