JFET [6]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Вид монтажа
Упаковка / блок
Полярность транзистора
Конфигурация
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
Ток стока при Vgs=0
Id - непрерывный ток утечки
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
2SK208-R(TE85L,F) Toshiba JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
2SK209-BL(TE85L,F) Toshiba
JFET N-Ch 10mA -50V FET 150 mW Audio LNA
2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
2SK2145-GR(TE85L,F Toshiba
JFET Junction FET N-Ch x2 1.2 to 14mA 10mA
2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba
JFET Junction FET N-Ch x2 1.2 to 14mA 10mA
2SK2394-6-TB-E ON Semiconductor
JFET NCH J-FET
2SK2394-7-TB-E ON Semiconductor
JFET NCH J-FET
2SK3320-BL(TE85L,F Toshiba
JFET Junction FET N-Ch x2 1.2V to 14mA 10mA
2SK3557-7-TB-E ON Semiconductor
JFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER
2SK3666-2-TB-E ON Semiconductor JFET SWITCHING DEVICE
2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor JFET SWITCHING DEVICE
2SK536-TB-E ON Semiconductor
JFET MOSFET 0.1A 50V
2SK545-11D-TB-E ON Semiconductor
JFET NCH J-FET
2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba
JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
2SK879-Y(TE85L,F) Toshiba
JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba
JFET N-CH FET 1.0dB AMP AUDIO -50 VGDS 10mA
2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba
JFET N-Ch Audio Amp Fet 15mS 1.0db 10V 0.5mA
2SK880GRTE85LF Toshiba
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
2SK932-22-TB-E ON Semiconductor
JFET NCH J-FET
2SK932-23-TB-E ON Semiconductor
JFET NCH J-FET
2SK932-24-TB-E ON Semiconductor
JFET NCH J-FET