DRAM [143]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Тип
Ширина шины данных
Организация
Упаковка / блок
Размер памяти
Максимальная тактовая частота
Время доступа
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
W948D6FBHX6E TR Winbond DRAM 256M mDDR, x16, 166MHz, 65nm T&R
W948D6KBHX5E Winbond
DRAM 256M mDDR, x16, 200MHz
W948D6KBHX5E TR Winbond
DRAM 256M mDDR, x16, 200MHz T&R
W948D6KBHX5I Winbond
DRAM 256M mDDR, x16, 200MHz, Industrial Temp
W948D6KBHX5I TR Winbond
DRAM 256M mDDR, x16, 200MHz, Industrial Temp T&R
W948V6KBHX5E Winbond DRAM 256M mDDR, x16, 200MHz
W948V6KBHX5E TR Winbond DRAM 256M mDDR, x16, 200MHz T&R
W948V6KBHX5I Winbond DRAM 256M mDDR, x16, 200MHz, Industrial Temp
W948V6KBHX5I TR Winbond DRAM 256M mDDR, x16, 200MHz, Industrial Temp T&R
W949D2DBJX5E Winbond DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz
W949D2DBJX5E TR Winbond DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz T&R
W949D2DBJX5I Winbond DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp, 46nm
W949D2DBJX5I TR Winbond DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp, 46nm T&R
W949D6DBHX5E Winbond DRAM 512M mDDR, x16, 200MHz
W949D6DBHX5E TR Winbond DRAM 512M mDDR, x16, 200MHz T&R
W949D6DBHX5I Winbond DRAM 512M mDDR, x16, 200MHz, Industrial Temp, 46nm
W949D6DBHX5I TR Winbond DRAM 512M mDDR, x16, 200MHz, Industrial Temp, 46nm T&R
W94AD2KBJX5E Winbond DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W94AD2KBJX5E TR Winbond DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R
W94AD2KBJX5I Winbond DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp
W94AD2KBJX5I TR Winbond DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R
W94AD6KBHX5E Winbond DRAM 1G mDDR, x16, 200MHz
W94AD6KBHX5E TR Winbond DRAM 1G mDDR, x16, 200MHz T&R
W94AD6KBHX5I Winbond DRAM 1G mDDR, x16, 200MHz, Ind temp