DRAM [148]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Тип
Ширина шины данных
Организация
Упаковка / блок
Размер памяти
Максимальная тактовая частота
Время доступа
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
W979H2KBQX1E TR Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 533MHz, -25 85C T&R
W979H2KBQX1I Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 533MHz, -40 85C
W979H2KBQX1I TR Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 533MHz, -40 85C T&R
W979H2KBQX2E Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -25 85C
W979H2KBQX2E TR Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -25 85C T&R
W979H2KBQX2I Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C
W979H2KBQX2I TR Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C T&R
W979H2KBVX1E Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 533MHz, -25 85C
W979H2KBVX1E TR Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 533MHz, -25 85C T&R
W979H2KBVX1I Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 533MHz, -40 85C
W979H2KBVX1I TR Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 533MHz, -40 85C T&R
W979H2KBVX2E Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -25 85C
W979H2KBVX2E TR Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -25 85C T&R
W979H2KBVX2I Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C
W979H2KBVX2I TR Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C T&R
W979H6KBQX1E Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 533MHz
W979H6KBQX1E TR Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 533MHzT&R
W979H6KBQX1I Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 533MHz, -40 85C
W979H6KBQX1I TR Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 533MHz, -40 85C T&R
W979H6KBQX2E Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz
W979H6KBQX2E TR Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHzT&R
W979H6KBQX2I Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C
W979H6KBQX2I TR Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C T&R
W979H6KBVX1E Winbond
DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 533MHz