РЧ МОП-транзисторы [2]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Полярность транзистора
Технология
Id - непрерывный ток утечки
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Усиление
Выходная мощность
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Вид монтажа
Упаковка / блок
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
A2T18H410-24SR6 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 71 W Avg., 28 V
A2T18H450W19SR6 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 89 W Avg., 30 V
A2T18H455W23NR6 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 31.5 V
A2T18S160W31GSR3 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V
A2T18S160W31SR3 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V
A2T18S162W31GSR3 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 32 W Avg., 28 V
A2T18S162W31SR3 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 32 W Avg., 28 V
A2T18S165-12SR3 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 48 W Avg., 28 V
A2T18S260-12SR3 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg., 28 V
A2T18S260W12NR3 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
A2T18S261W12NR3 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V
A2T20H160W04NR3 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 28 W Avg., 28 V
A2T20H330W24SR6 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 58 W Avg., 28 V
A2T21H100-25SR3 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 18 W Avg., 28 V
A2T21H140-24SR3 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V
A2T21H360-23NR6 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 63 W Avg., 28 V
A2T21H360-24SR6 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V
A2T21H410-24SR6 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 28 W Avg, 28 V
A2T21H450W19SR6 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 89 W Avg., 30 V
A2T21S160-12SR3 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 48 W Avg., 28 V
A2T21S260-12SR3 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 65 W Avg., 28 V
A2T23H160-24SR3 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 28 W Avg., 28 V
A2T23H200W23SR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 51 W Avg., 28 V
A2T23H300-24SR6 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2300-2400 MHz, 69 W Avg., 28 V