РЧ МОП-транзисторы [3]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Полярность транзистора
Технология
Id - непрерывный ток утечки
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Усиление
Выходная мощность
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Вид монтажа
Упаковка / блок
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
A2T26H165-24SR3 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 32 W Avg., 28 V
A2T26H300-24SR6 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2496-2690 MHz, 60 W AVG., 28 V
A2T27S007NT1 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 400-2700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
A2T27S020GNR1 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 400-2700 MHz, 2.5 W Avg., 28 V
A2V07H400-04NR3 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 107 W Avg., 48 V
A2V07H525-04NR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 120 W Avg., 48 V
A2V09H300-04NR3 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 79 W Avg., 48 V
A2V09H400-04NR3 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 107 W Avg., 48 V
A2V09H525-04NR6 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF LDMOS Wideband Integrated power amplifier, 575-960 MHz, 525 W, 48 V
A3G18H500-04SR3 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 107 W Avg., 48 V
A3G20S250-01SR3 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 45 W Avg., 48 V
A3G22H400-04SR3 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V
A3T18H360W23SR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V
A3T18H455W23SR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 30 V
A3T19H455W23SR6 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V
A3T21H400W23SR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 71 W Avg., 28 V
A3T21H450W23SR6 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V
A3T21H455W23SR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V
A3T21H456W23SR6 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы RF PWR LDMOS TRNSTR 2110-2200 MHz 87W30V
A3T23H300W23SR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 63 W Avg., 30 V
A3T23H450W23SR6 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 87 W Avg., 30 V
AFG24S100HR5 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power GaN on SiC Transistor, 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V
AFIC10275GNR1 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
AFIC10275NR1 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V