| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
)
|
RN1965FE(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | ||
)
|
RN1966FE(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | ||
)
|
RN1968(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF) | ||
)
|
RN1970(TE85L,F) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 TRANSISTOR Pd 50mW F 1Mhz (LF) | ||
|
RN1971TE85LF | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | ||
|
RN2101,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor | ||
)
|
RN2101MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms | ||
|
RN2101MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 4.7kohm | ||
|
RN2102,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor | ||
)
|
RN2102MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10K x 10Kohms | ||
)
|
RN2103MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50V -100mA 22x22Kohms | ||
|
RN2103MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor | ||
)
|
RN2104MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms | ||
)
|
RN2105MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms | ||
|
RN2105MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 2.2kohm | ||
)
|
RN2106MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms | ||
|
RN2107,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
)
|
RN2107MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10K x 47Kohms | ||
|
RN2107MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 10kohm | ||
)
|
RN2108MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 22K x 47Kohms | ||
|
RN2108MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor | ||
)
|
RN2109MFV(TL3,T) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 47kohm -100mA -50V | ||
)
|
RN2109MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 47K x 22Kohms | ||
|
RN2109MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 47kohm |
