Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения [107]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
RN2110,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2110MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms
RN2110MFV,L3F Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
RN2111,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2111MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10Kohms
RN2111MFV,L3F Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
RN2112,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2112MFV(TL3,T) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 22kohm -100mA -50V
RN2112MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 22Kohms
RN2113MFV(TL3,T) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 47kohm -100mA -50V
RN2113MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 47Kohms
RN2114(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SSM (HF) TRANSISTOR Pd 100mW F 1MHz
RN2114MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms
RN2114MFV,L3F Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
RN2115,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2115MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 2.2Kohms x 10Kohms
RN2115MFV,L3F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
RN2116,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2116MFV(TL3,T) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 4.7kohm -100mA -50V
RN2116MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 4.7Kohms x 10Kohms
RN2117MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms
RN2117MFV,L3F Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
RN2118MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms
RN2119MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor