Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения [108]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
RN2130MFV(TPL3) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 100Kohmsx100Kohms
RN2130MFV,L3F Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in Transistor
RN2131MFV(TL3,T) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 100kohm -100mA -50V
RN2131MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 100Kohmsx0ohms
RN2132MFV(TL3,T) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 200kohm -100mA -50V
RN2132MFV(TPL3) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения -50volts 100mA 3Pin 200Kohmsx0ohms
RN2301(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
RN2301,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor with Built-in Transistor
RN2302(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10K x 10Kohms
RN2302,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP 10kohm -100mA -50V
RN2303(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 22K x 22Kohms
RN2304(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
RN2305(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms
RN2305,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms
RN2306(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
RN2306,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения USM TRANSISTOR Pd 100mW F 200Mhz
RN2307(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10K x 47Kohms
RN2308(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 22K x 47Kohms
RN2309(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 47K x 22Kohms
RN2310(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms
RN2310,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения USM PLN TRANSISTOR Pd 100mW F 200Mhz
RN2311(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 10Kohms
RN2312(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 22Kohms
RN2313(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA -50volts 3Pin 47Kohms