Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения [112]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
RN2906,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2907FE,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2908FE(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
RN2910FE,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2911,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6-PLN
RN2911,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
RN2961(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
RN2962(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
RN2963(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
RN2964(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
RN2965(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
RN2967(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
RN2969(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
RN2971(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
RN4601(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
RN4602TE85LF Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT PNP NPN 100mA -50V
RN4603(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT PNP NPN 100mA -50V
RN4604(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
RN4605(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans PNP x 2 SM6, -50V, -100A
RN4606(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT PNP NPN 100mA -50V
RN4607(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
RN4608(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz