Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения [113]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
RN4609(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
RN4610(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
RN4611(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
RN4901,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN4902,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN4902FE(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A
RN4902FE,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN4904,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6-PLN
RN4904,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN4904FE,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN4905,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN4905FE(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A
RN4905FE,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN4906,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6-PLN
RN4906,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN4906FE(TE85L,F) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A
RN4906FE,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN4907,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6-PLN
RN4907,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN4907FE,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN4910,LF Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения US6-PLN
RN4910,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
RN4981(T5L,F,T) Toshiba
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 6Pin 4.7K x 4.7Kohms
RN4981FE,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor