| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
APTGTQ200SK65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3200 | ||
|
APTGTQ50TA65T3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3203 | ||
|
APTGV50H60BT3G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT | ||
|
APTLGL325A1208G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5021 | ||
|
APTLGT300A1208G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC5023 | ||
|
APTLGT400A608G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5020 | ||
|
BSM100GAL120DLCK | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A CHOPPER | ||
|
BSM100GB120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | ||
|
BSM100GB120DLCK | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | ||
|
BSM100GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | ||
|
BSM100GB120DN2K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | ||
|
BSM100GB170DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 100A DUAL | ||
|
BSM100GB60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A DUAL | ||
|
BSM100GD120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE | ||
|
BSM100GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGE | ||
|
BSM100GD60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A 3-PHASE | ||
|
BSM100GP60 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A PIM | ||
|
BSM10GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE | ||
|
BSM10GD120DN2E3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | ||
|
BSM10GP120 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A PIM | ||
|
BSM10GP60 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10A PIM | ||
|
BSM150GB120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL | ||
|
BSM150GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL | ||
|
BSM150GB170DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 150A DUAL |
