Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [16]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
BSM150GB60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 150A DUAL
BSM15GD120DLCE3224 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A
BSM15GD120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A 3-PHASE
BSM15GD120DN2E3224 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A
BSM15GP120 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A PIM
BSM15GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A PIM
BSM200GA120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLE
BSM200GA170DLC Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 400A
BSM200GB120DLC Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL
BSM200GB120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL
BSM200GB60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A DUAL
BSM200GD60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A 3-PHASE
BSM20GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A PIM
BSM25GD120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE
BSM25GD120DN2E3224 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A
BSM25GP120 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM
BSM300GA120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE
BSM300GB120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL
BSM300GB60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 300A DUAL
BSM30GD60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 3-PHASE
BSM30GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A PIM
BSM35GD120DLCE3224 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 70A
BSM35GD120DN2E3224 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A
BSM35GP120 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A PIM