Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [18]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
DD1200S33K2C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 1200A F/DIODE
DD1200S45KL3_B5 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DD200S33K2C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 200A F/DIODE
DD250S65K3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DD400S33K2C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 400A F/DIODE
DD400S33KL2C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3.3KV 400A
DD400S45KL3_B5 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DD500S33HE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DD500S65K3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 500A 6500V
DD600S65K3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600amps 6500V
DD750S65K3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 750A 6500V
DD800S33K2C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 800A F/DIODE
DDB2U30N08VR Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 25A
DDB6U180N16RR_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DDB6U30N08VR Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26A
DDB6U75N16W1R Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifer 1600V 605A
DDB6U75N16W1R_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Bridge Rectifier 1200V
DF1000R17IE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 1000A
DF1000R17IE4D_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
DF120R12W2H3_B27 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DF1400R12IP4D Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 1400A
DF150R12RT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 150A
DF160R12W2H3F_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)