| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
DF200R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | ||
|
DF200R12PT4_B6 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
DF200R12W1H3FB11BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | ||
|
DF200R12W1H3_B27 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
DF300R07PE4_B6 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V | ||
|
DF300R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL | ||
|
DF400R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A | ||
|
DF600R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 600A | ||
|
DF600R12IP4DV | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
DF650R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 650A | ||
|
DF75R12W1H4F_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | ||
|
DF80R12W2H3F_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
DF900R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 900A | ||
|
DF900R12IP4DV | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
DZ3600S17K3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.7KV 3.6KA | ||
|
DZ800S17K3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.7KV 800A | ||
|
F12-25R12KT4G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A | ||
|
F3L100R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 100A | ||
|
F3L100R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Easy 2B CoolSiC(TM) MOSFET | ||
|
F3L150R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 650V 150A | ||
|
F3L150R12W2H3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
F3L15R12W2H3_B27 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
