Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [2]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
05407900 Littelfuse Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
05410100 Littelfuse Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
05410200 Littelfuse Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
2LS20017E42W34854 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
2LS20017E42W36702 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
2LS20017E42W40403 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
2PS06017E32G28213 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1x 325A AC at 690V AC Forced Air
2PS12017E34W32132NOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM
2PS12017E44G35911 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
2PS13512E43W35222NOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM
2PS13512E43W39689 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
2PS18012E44G38553NOSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM
4PS03012S43G30699 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6MS10017E41W36460 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6MS16017P43W40382 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6MS16017P43W40383 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6MS20017E43W37032 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6MS20017E43W38170 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6MS24017E33W32859NOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM
6MS24017E33W32860NOSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM
6MS30017E43W34404NOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM
6MS30017E43W38169 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6PS03012E33G34160 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6PS04512E43G37986 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)