| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
6PS04512E43W39693 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
6PS18012E4FG35689 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
A1C15S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ||
|
A1C15S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ||
|
A1P25S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ||
|
A1P25S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ||
|
A1P35S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ||
|
A1P35S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ||
|
A1P50S65M2 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | ||
|
A1P50S65M2-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | ||
|
A2C25S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ||
|
A2C25S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ||
|
A2C35S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | ||
|
A2C35S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 35 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | ||
|
A2C50S65M2 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | ||
|
A2C50S65M2-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, soft diode and NTC | ||
|
A2P75S12M3 | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ||
|
A2P75S12M3-F | STMicroelectronics | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE | ||
|
APT100GLQ65JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0101 | ||
|
APT100GLQ65JU3 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0107 | ||
|
APT100GN120J | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 100A, SOT-227 | ||
|
APT100GN120JDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227 | ||
|
APT100GT120JRDQ4 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V,100A, SOT-227 | ||
|
APT100GT120JU2 | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0006 |
