Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [23]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FD800R33KF2C-K Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1.3KA
FD900R12IP4D Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A
FD900R12IP4DV Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF1000R17IE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.39KA
FF1000R17IE4DP_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF1000R17IE4D_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1000A
FF1000R17IE4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF100R12KS4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
FF100R12RT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module w/ IGBT & Diode
FF1200R12IE5 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF1200R12IE5PBPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PRIMEPACK
FF1200R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 1200A IGBT Module
FF1200R17IP5BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PP, IHM I, XHP 1,7KV
FF1200R17KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 1200A DUAL
FF1200R17KP4_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200A
FF1400R12IP4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 1.4KA
FF1400R12IP4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF1400R17IP4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1400A 1700V
FF1400R17IP4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF1500R17IP5PBPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF150R12KE3G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
FF150R12KE3G_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A
FF150R12KE3_B8 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A
FF150R12KS4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL