Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [24]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FF150R12KT3G Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A
FF150R12ME3G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A
FF150R12MS4G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A
FF150R12RT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A
FF150R12YT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A
FF150R17KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 1700V
FF150R17ME3G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 240A
FF1800R12IE5BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PP, IHM I, XHP 1,7KV
FF1800R17IP5 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF200R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 260A
FF200R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL
FF200R12KE3_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A
FF200R12KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FF200R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM
FF200R12KS4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL
FF200R12KS4PHOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM
FF200R12KT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A
FF200R12KT3_E Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A
FF200R12KT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320A
FF200R17KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 390A
FF200R17KE3_S4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A
FF200R17KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 1700V
FF200R33KF2C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 200A DUAL
FF225R12ME3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 325A