Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [26]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FF300R12KT4PHOSA1 Infineon / IR Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM
FF300R12ME3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 500A
FF300R12ME4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A
FF300R12ME4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1200V
FF300R12MS4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 370A
FF300R17KE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 404A
FF300R17KE3_S4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700V
FF300R17KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700V
FF300R17KE4PHOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM
FF300R17ME3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 375A
FF300R17ME4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 300A
FF300R17ME4PBPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO
FF300R17ME4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 1700V
FF400R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 400A DUAL
FF400R07A01E3S6XKSA2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DSC
FF400R07KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 400A 650V
FF400R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE
FF400R12KE3_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A
FF400R12KT3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A
FF400R12KT3P_E Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF400R12KT3_E Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 400A
FF400R17KE4EHOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM
FF400R17KE4HOSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM
FF400R33KF2C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 400A DUAL