Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [25]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FF225R12ME4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 225A
FF225R12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO
FF225R12ME4PBPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO
FF225R12ME4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 225A 1200V
FF225R12MS4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 275A
FF225R17ME3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 340A
FF225R17ME4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 225A
FF225R17ME4PBPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO
FF225R17ME4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 225A 1700V
FF300R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 400A
FF300R06KE3_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 300A
FF300R07KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V
FF300R07ME4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V
FF300R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL
FF300R12KE3_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 480A
FF300R12KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 460A
FF300R12KE4_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A
FF300R12KE4_E Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF300R12KS4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ELECTRONIC COMPONENT
FF300R12KS4PHOSA1 Infineon / IR
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM
FF300R12KT3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL
FF300R12KT3P_E Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF300R12KT3_E Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A
FF300R12KT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A