| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
FF600R12IE4V | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FF600R12IP4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 600A | ||
|
FF600R12IP4V | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FF600R12KE4BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | ||
|
FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY | ||
|
FF600R12ME4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600A | ||
|
FF600R12ME4A_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FF600R12ME4CB11BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FF600R12ME4CBOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FF600R12ME4CP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FF600R12ME4CP_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FF600R12ME4EB11BOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FF600R12ME4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FF600R12ME4PB72BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FF600R12ME4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FF600R12ME4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1200V | ||
|
FF600R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 900A | ||
|
FF600R17KE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 950A | ||
|
FF600R17ME4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC | ||
|
FF600R17ME4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FF600R17ME4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FF600R17ME4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact Technology | ||
|
FF650R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 930A | ||
|
FF650R17IE4DP_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
