Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [29]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FF650R17IE4D_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A
FF650R17IE4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF650R17IE4V Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF75R12RT4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A
FF75R12YT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A
FF800R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A DUAL
FF800R17KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.15KA
FF800R17KP4_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 800A
FF900R12IE4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 900A
FF900R12IE4PBOSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PRIMEPACK
FF900R12IE4V Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF900R12IP4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FF900R12IP4D Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A
FF900R12IP4DV Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF900R12IP4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF900R12IP4V Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FNE41060 ON Semiconductor / Fairchild Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 10A SPM45 FAST VERSN WITHOUT NTC FUNCTION
FP06R12W1T4_B3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FP100R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 100A
FP100R07N3E4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V
FP100R07N3E4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V
FP100R12KT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FP100R12KT4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A
FP10R06KL4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10a Easy Mount