Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [30]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FP10R06W1E3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A
FP10R06W1E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 10A 600V
FP10R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ELECTRONIC COMPONENT
FP10R12W1T4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 20A
FP10R12W1T4PB11BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
FP10R12W1T4PBPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
FP10R12W1T4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A
FP10R12W1T4_B29 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FP10R12W1T4_B3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A
FP10R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FP10R12W1T7B3BOMA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FP10R12W1T7PB3BPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FP10R12YT3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A
FP10R12YT3_B4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A
FP150R07N3E4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V
FP150R07N3E4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V
FP150R12KT4 Infineon / IR
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FP150R12KT4P Infineon / IR
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FP150R12KT4P_B11 Infineon / IR Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FP150R12KT4_B11 Infineon / IR Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FP15R06KL4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A EASY2
FP15R06W1E3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 22A
FP15R06W1E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 15A 600V
FP15R06YE3_B4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 15A