| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
FP50R06W2E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A | ||
|
FP50R06W2E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A | ||
|
FP50R07N2E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650V | ||
|
FP50R07N2E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650V | ||
|
FP50R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM | ||
|
FP50R12KS4C | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM | ||
|
FP50R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A | ||
|
FP50R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A | ||
|
FP50R12KT4G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V | ||
|
FP50R12KT4G_B15 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V | ||
|
FP50R12KT4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | ||
|
FP50R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A | ||
|
FP75R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ||
|
FP75R07N2E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650V | ||
|
FP75R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A PIM | ||
|
FP75R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 105A | ||
|
FP75R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.85V IGBT 4 PIM | ||
|
FP75R12KT4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | ||
|
FP75R12KT4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | ||
|
FP75R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A | ||
|
FP75R12KT4_B15 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A | ||
|
FP75R17N3E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FPF2C8P2NL07A | ON Semiconductor / Fairchild | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM F2 NPC 650V 50A | ||
|
FPF2G120BF07AS | ON Semiconductor / Fairchild | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module |
