| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
FPF2G120BF07ASP | ON Semiconductor / Fairchild | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module | ||
|
FS100R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ECONO PACK 3 WITH FAST TRENCH | ||
|
FS100R07N2E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V | ||
|
FS100R07N2E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V | ||
|
FS100R07PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V | ||
|
FS100R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE | ||
|
FS100R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE | ||
|
FS100R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 140A | ||
|
FS100R12KT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 100A | ||
|
FS100R12KT4G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A | ||
|
FS100R12KT4G_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A | ||
|
FS100R12KT4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | ||
|
FS100R12KT4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | ||
|
FS100R12N2T4PBPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | ||
|
FS100R12PT4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3 PHASE POWER BRIDGE | ||
|
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FS100R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 145A | ||
|
FS100R17N3E4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FS100R17N3E4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO | ||
|
FS100R17N3E4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FS100R17PE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 100A | ||
|
FS10R06VE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A | ||
|
FS10R06VE3_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASYPACK 750 15.0A 1.55V | ||
|
FS10R06VL4_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 16A |
