Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [36]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FS200R07N3E4R_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650V
FS200R07PE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 650V
FS200R12KT4R Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A
FS200R12KT4R_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 1200V
FS200R12PT4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoPACK4 200A 1200V
FS200R12PT4PBOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO
FS20R06VE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FS20R06VE3_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FS20R06W1E3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 35A
FS20R06W1E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 20A 600V
FS20R06XE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26A
FS215R04A1E3DBOMA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS225R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 225A 3-PHASE
FS225R12KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 320A
FS225R12OE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS225R12OE4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS225R17KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 225A
FS225R17OE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS225R17OE4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS25R12KE3G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40A
FS25R12KT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40A
FS25R12W1T4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 45A
FS25R12W1T4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V
FS25R12YT3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 40A