Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [35]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FS10R12VT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A
FS10R12YE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 16A
FS150R06KE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 600V
FS150R07N3E4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V
FS150R07PE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 650V
FS150R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A FL BRIDGE
FS150R12KE3G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A 3-PHASE
FS150R12KT3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A
FS150R12KT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE 1200V, 150A
FS150R12KT4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 150A
FS150R12KT4_B9 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 150A 1700V
FS150R12PT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A
FS150R17N3E4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS150R17N3E4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS150R17PE4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 150A
FS150RE12KE3G Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS15R06VE3_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FS15R06XE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 22A
FS15R06XL4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 20A
FS15R12VT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 24A
FS15R12YT3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A
FS200R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ECONO PACK 3 200A, 600V
FS200R07A5E3S6BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS200R07N3E4R Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)