Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [16]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FII24N17AH1S IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds
FII30-06D IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V
FSAM50SM60A ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V -50A SMART POWER MODULE
GN2470K4-G Microchip Technology Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 700V 3.5A IGBT
GT30J121(Q) Toshiba Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/30A DIS
GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT for Soft Switching Apps
HGT1S10N120BNST ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V
HGT1S20N60C3S9A ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series
HGTD1N120BNS9A ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
HGTD7N60C3S9A ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series
HGTG10N120BND ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch
HGTG11N120CND ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde
HGTG12N60C3D ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24a 600V IGBT UFS N-Channel
HGTG18N120BND ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
HGTG20N60A4 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
HGTG20N60A4D ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V
HGTG20N60B3 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series
HGTG20N60B3D ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel
HGTG30N60A4 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
HGTG30N60A4D ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
HGTG30N60B3 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series
HGTG30N60B3D ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel
HGTG30N60C3D ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para
HGTG40N60A4 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series