Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [17]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
HGTG40N60B3 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series
HGTG5N120BND ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
HGTP12N60C3D ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTP12N60C3D
IDW40E65D2 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Rapid Switching
IEWS20R5135IPBXKMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
IGA03N120H2 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED TECH 1200V 3A
IGB01N120H2 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
IGB03N120H2 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
IGB10N60T Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
IGB15N60T Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
IGB15N60TATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
IGB15N65S5ATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
IGB20N60H3 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT
IGB20N65S5ATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
IGB30N60H3 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT
IGB30N60T Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
IGB50N60T Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
IGB50N60TATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
IGB50N65H5ATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
IGB50N65S5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
IGD01N120H2 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A
IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combinati
IGP06N60T Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 6A