Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [37]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
IXA4IF1200UC IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Copack
IXA4IF1200UC-TUB IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3
IXA55I1200HJ IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V 84A Single IGBT
IXB200I600NA IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBT
IXB80IF600NA IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBT
IXBF20N300 IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
IXBF20N360 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
IXBF32N300 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
IXBF40N160 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 1600V
IXBF50N360 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/70A Reverse Conducting IGBT
IXBF55N300 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High Voltage High Gain BIMOSFET
IXBF9N160G IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 9 Amps 1600V 1600V 9A
IXBH10N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 Rds
IXBH10N300HV IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
IXBH12N300 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
IXBH16N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 25A
IXBH16N170A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 16A
IXBH20N300 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
IXBH24N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFETS 1700V 60A
IXBH28N170A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30Amps 1700V
IXBH40N160 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1600V 33A
IXBH42N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 75A
IXBH42N170A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSET 42A 1700V
IXBH42N250 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT