Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [38]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
IXBH5N160G IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 Amps 1600V
IXBH6N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700V 3.6 Rds
IXBH9N160G IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 9 Amps 1600V
IXBK55N300 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
IXBK75N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFETS 1700V 200A
IXBK75N170A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 65Amps 1700V
IXBL60N360 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/92A Rev Conducting IGBT
IXBL64N250 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
IXBN42N170A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
IXBN75N170A IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1700V 6.00 Rds
IXBP5N160G IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5 Amps 1600V
IXBR42N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 57Amps 1700V
IXBT10N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 Rds
IXBT12N300HV IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
IXBT16N170A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 16A
IXBT16N170AHV IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT
IXBT24N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs
IXBT2N250 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
IXBT42N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFET 1700V 75A
IXBT6N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700V 3.6 Rds
IXBX25N250 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
IXBX50N360HV IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
IXBX75N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFETS 1700V 200A
IXBX75N170A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 65Amps 1700V