Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [5]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
APT35GP120B2DQ2G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
APT35GP120BG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 35A, TO-247, RoHS
APT36GA60B Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247
APT36GA60BD15 Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247
APT40GP60B2DQ2G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS
APT40GP60SG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
APT40GR120B Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 40A, TO-247
APT40GR120B2D30 Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 30A, TO-247 T-MAX
APT40GR120B2SCD10 Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
APT40GR120S Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 40A, TO-268
APT40GT60BRG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 40A, TO-247, RoHS
APT43GA90B Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 900V, TO-247
APT43GA90BD30 Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247
APT44GA60BD30 Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247
APT45GP120B2DQ2G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
APT45GP120BG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 45A, TO-247, RoHS
APT45GP120J Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 45A, SOT-227
APT45GP120JDQ2 Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 45A, SOT-227
APT45GR65B Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 650V, 45A, TO-247
APT45GR65B2DU30 Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
APT45GR65S Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
APT50GN120B2G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT,1200V, T-MAX, RoHS
APT50GN120L2DQ2G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-264 MAX, RoHS
APT50GN60BDQ2G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS