Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [4]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
APT25GR120B Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO247
APT25GR120S Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-268
APT25GR120SD15 Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 25A, TO-268
APT25GT120BRDQ2G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
APT25GT120BRG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
APT27GA90BD15 Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247
APT30GN60BDQ2G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS
APT30GN60BG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS
APT30GP60B2DLG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
APT30GP60BDQ1G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS
APT30GP60BG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS
APT30GP60LDLG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
APT30GS60BRDLG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
APT30GS60BRDQ2G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS
APT30GS60KRG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT High Frequency - Single
APT30GT60BRDQ2G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS
APT30GT60BRG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 30A, TO-247, RoHS
APT30N60SC6 Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
APT33GF120B2RDQ2G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
APT33GF120BRG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
APT35GA90B Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 900V, TO-247
APT35GA90BD15 Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247
APT35GN120BG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
APT35GN120L2DQ2G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-264 MAX, RoHS