Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [58]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
NGTD13R120F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25A CN34 FAST REC
NGTD13T65F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC78 FAST IGBT D
NGTD13T65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC78 FAST IGBT U
NGTD14T65F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC78 LOW VCESAT
NGTD14T65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC78 LOW VCESAT
NGTD15R65F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/50A CC15 FAST RECTIF
NGTD15R65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/50A CC15 FAST RECT
NGTD17R120F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A CJ61 FAST RECTI
NGTD17R120F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A CJ61 FAST REC
NGTD17T65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC11 FAST IGBT U
NGTD20T120F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25A CN35 FAST IGBT
NGTD20T120F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25A CN35 FAST IGB
NGTD21T65F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CN86 FAST IGBT D
NGTD21T65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CN86 FAST IGBT U
NGTD23T120F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/30A CJ52 FAST IGBT
NGTD23T120F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/30A CJ52 FAST IGB
NGTD28T65F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/75A CK46 IGBT DIE SA
NGTD28T65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/75A CK46 IGBT UNSAWN
NGTD30T120F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
NGTD30T120F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
NGTD5R65F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC87 LOW VF RECT
NGTD5R65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC87 LOW VF RE
NGTD8R65F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC14 FAST RECTIF
NGTD8R65F2WP ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A CC14 FAST RECT