| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
NGTD9R120F2SWK | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/85A BR69 VERY FAST | ||
|
NGTD9R120F2WP | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/85A BR69 VERY FAS | ||
|
NGTG12N60TF1G | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 12A IGBT TO-3PF | ||
|
NGTG15N120FL2WG | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/15A VERY FAST IGBT | ||
|
NGTG15N60S1EG | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 15A 600V IGBT | ||
|
NGTG20N60L2TF1G | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A IGBT TO-3PF | ||
|
NGTG25N120FL2WG | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25 FAST IGBT ONLY F | ||
|
NGTG35N65FL2WG | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/35A FAST IGBT FSII T | ||
|
NGTG40N120FL2WG | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A FAST IGBT FSII | ||
|
NTLUS3A40PZTAG | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL | ||
|
NTLUS3A40PZTBG | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) T4 20/8 PCH UDFN SING | ||
|
NTLUS3A90PZTAG | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POWER MOSFET 20V 3A 60 MO | ||
|
NTLUS3A90PZTBG | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) POWER MOSFET 20V 3A 60 MO | ||
|
NTTFSC4937NTAG | ON Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NFET U8FL 30V 50A 17 | ||
|
RGC80TSX8RGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCTING IGBT | ||
|
RGCL60TK60DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | ||
|
RGCL60TK60GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | ||
|
RGCL60TS60DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | ||
|
RGCL60TS60GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | ||
|
RGCL80TK60DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | ||
|
RGCL80TK60GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | ||
|
RGCL80TS60DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | ||
|
RGCL80TS60GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | ||
|
RGPR10BM40FHTL | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT |
