Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [60]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
RGPR20NS43HRTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
RGPR30BM40HRTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT
RGPR30NS40HRTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT
RGPZ10BM40FHTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
RGS00TS65DHRC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V
RGS00TS65HRC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGB
RGS50TSX2DHRC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FIELD STOP TRENCH
RGS50TSX2HRC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FIELD STOP TRENCH
RGS60TS65DHRC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FIELD STOP TRENCH
RGS60TS65HRC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FIELD STOP TRENCH
RGS80TS65HRC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FIELD STOP TRENCH
RGS80TSX2DHRC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FIELD STOP TRENCH
RGS80TSX2HRC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FIELD STOP TRENCH
RGT00TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N
RGT16BM65DTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RGT16NL65DGTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT16NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGT16NS65DGTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 8A IGBT Stop Trench
RGT16TM65DGC9 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT30NL65DGTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT30NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGT30NS65DGTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 15A IGBT Stop Trench
RGT30TM65DGC9 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT40NL65DGTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT