Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [61]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
RGT40NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGT40NS65DGTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench
RGT40TM65DGC9 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT40TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench
RGT50NL65DGTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT50NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGT50NS65DGTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGT50TM65DGC9 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT50TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench
RGT60TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench
RGT80TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A IGBT Stop Trench
RGT8BM65DTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 4A IGBT Stop Trench
RGT8NL65DGTL ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT
RGT8NS65DGC9 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGT8NS65DGTL ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 4A IGBT Stop Trench
RGT8TM65DGC9 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FIELD STOP TRENCH IGBT
RGTH00TK65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGTH00TK65GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGTH00TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A IGBT Stop Trench
RGTH00TS65GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A IGBT Stop Trench
RGTH40TK65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGTH40TK65GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGTH40TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench
RGTH40TS65GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 20A IGBT Stop Trench