Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [2]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
AIHD15N60RFATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AIKB30N65DF5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
AIKB30N65DH5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
AIKB40N65DF5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
AIKB40N65DH5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
AIKP20N60CTAKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AIKQ100N60CTXKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AIKQ120N60CTXKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AIKW20N60CTXKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AIKW40N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AIKW40N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AIKW50N60CTXKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AIKW75N60CTXKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
APT100GN120B2G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
APT100GN60B2G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS
APT100GN60LDQ4G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHS