Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [3]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
APT11GP60KG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
APT13GP120BDQ1G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
APT13GP120BG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 13A, TO-247, RoHS
APT15GN120BDQ1G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
APT15GN120SDQ1G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-268, RoHS
APT15GP60BDLG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
APT15GP60BDQ1G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS
APT15GP60BG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 15A, TO-247, RoHS
APT15GP60KG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
APT15GP90BDQ1G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247, RoHS
APT15GP90KG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
APT15GT120BRDQ1G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 15A, TO-247, RoHS
APT15GT120BRG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
APT15GT60BRDQ1G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHS
APT15GT60BRG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 15A, TO-247, RoHS
APT200GN60B2G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247 T-MAX, RoHS
APT20GN60BDQ1G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 20A, TO-247, RoHS
APT20GT60BRDQ1G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS
APT25GN120B2DQ2G Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, T-MAX, RoHS
APT25GN120BG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
APT25GN120SG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, D3, TO-268, RoHS
APT25GP120BDQ1G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHS
APT25GP120BG Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-247, RoHS
APT25GP90BDQ1G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247, RoHS